根據(jù)《韓國經(jīng)濟》雜志報道，三星現(xiàn)在已經(jīng)向3nm制程邁出了第一步，他們已經(jīng)攻克了3nm和1nm工藝所使用全能門（GAA）技術。三星的3nm工藝會使用GAA技術，而不是現(xiàn)在的FinFET，新的技術可以讓芯片面積減少35%，功耗下降約50%，與5nm FinFET工藝相比，同樣功耗情況下性能提升33%。
GAA全能門與FinFET的不同之處在于，GAA設計圍繞著通道的四個面周圍有柵極，從而確保了減少漏電壓并且改善了對通道的控制，這是縮小工藝節(jié)點時的基本步驟，使用更高效的晶體管設計，再加上更小的節(jié)點尺寸，和5nm FinFET工藝相比能實現(xiàn)更好的能耗比。
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